IXFN210N20P Preços (USD) [2686pcs Estoque]
- 1 pcs$16.92898
- 10 pcs$15.65954
- 25 pcs$14.38973
- 100 pcs$13.37390
- 250 pcs$12.27352
- Número da peça:
- IXFN210N20P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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IXFN210N20P Atributos do produto
Número da peça :
IXFN210N20P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
188A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
255nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
18600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1070W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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