Diodes Incorporated - DMN90H8D5HCTI

KEY Part #: K6397635

DMN90H8D5HCTI Preços (USD) [75032pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.52112

Número da peça:
DMN90H8D5HCTI
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN90H8D5HCTI Atributos do produto

Número da peça : DMN90H8D5HCTI
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 30W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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