FCP190N65S3R0 Preços (USD) [65548pcs Estoque]
- 1 pcs$0.59652
- Número da peça:
- FCP190N65S3R0
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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FCP190N65S3R0 Atributos do produto
Número da peça :
FCP190N65S3R0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Series :
SuperFET® III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.7mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
144W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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