SI2333DS-T1-E3 Preços (USD) [320410pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11544
- 3,000 pcs$0.09778
- Número da peça:
- SI2333DS-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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SI2333DS-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI2333DS-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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