SSR1N60BTM-WS Preços (USD) [367383pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10068
- Número da peça:
- SSR1N60BTM-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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SSR1N60BTM-WS Atributos do produto
Número da peça :
SSR1N60BTM-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
900mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
215pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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