Infineon Technologies - IRFHS8342TRPBF

KEY Part #: K6407434

IRFHS8342TRPBF Preços (USD) [535141pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06912
  • 4,000 pcs$0.06635

Número da peça:
IRFHS8342TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHS8342TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFHS8342TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-6
Pacote / caso : 6-PowerVDFN

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