Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3462(TE16L1,NQ)

KEY Part #: K6407358

[1001pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SK3462(TE16L1,NQ)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK3462(TE16L1,NQ) Atributos do produto

    Número da peça : 2SK3462(TE16L1,NQ)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 267pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PW-MOLD
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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