Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2883(TE24L,Q)

KEY Part #: K6407365

[998pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SK2883(TE24L,Q)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK2883(TE24L,Q) Atributos do produto

    Número da peça : 2SK2883(TE24L,Q)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 75W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SM
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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