APT1201R4BFLLG Preços (USD) [4884pcs Estoque]
- 1 pcs$9.80480
- 30 pcs$9.75602
- Número da peça:
- APT1201R4BFLLG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT1201R4BFLLG electronic components. APT1201R4BFLLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT1201R4BFLLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT1201R4BFLLG Atributos do produto
Número da peça :
APT1201R4BFLLG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2030pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 [B]
Pacote / caso :
TO-247-3
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