IXYS - IXFH76N15T2

KEY Part #: K6395036

IXFH76N15T2 Preços (USD) [21875pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.88399

Número da peça:
IXFH76N15T2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH76N15T2 Atributos do produto

Número da peça : IXFH76N15T2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH
Series : HiPerFET™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 97nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 350W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3