DMG6402LVT-7 Preços (USD) [953326pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03880
- 3,000 pcs$0.03524
- Número da peça:
- DMG6402LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG6402LVT-7 electronic components. DMG6402LVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG6402LVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG6402LVT-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMG6402LVT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
498pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.75W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSOT-26
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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