EPC2007C Preços (USD) [101213pcs Estoque]
- 1 pcs$0.41183
- 2,500 pcs$0.40978
- Número da peça:
- EPC2007C
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2007C electronic components. EPC2007C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2007C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2007C Atributos do produto
Número da peça :
EPC2007C
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die Outline (5-Solder Bar)
Pacote / caso :
Die
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