Toshiba Semiconductor and Storage - TK16G60W,RVQ

KEY Part #: K6417518

TK16G60W,RVQ Preços (USD) [33546pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.22859

Número da peça:
TK16G60W,RVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK16G60W,RVQ Atributos do produto

Número da peça : TK16G60W,RVQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 130W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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