STMicroelectronics - STD3LN62K3

KEY Part #: K6420099

STD3LN62K3 Preços (USD) [159811pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23260
  • 2,500 pcs$0.23145

Número da peça:
STD3LN62K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3LN62K3 Atributos do produto

Número da peça : STD3LN62K3
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Series : SuperMESH3™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 620V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 386pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63