IXFQ22N60P3 Preços (USD) [21399pcs Estoque]
- 1 pcs$2.21231
- 10 pcs$1.97654
- 100 pcs$1.62076
- 500 pcs$1.31242
- 1,000 pcs$1.05010
- Número da peça:
- IXFQ22N60P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IXFQ22N60P3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFQ22N60P3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Series :
HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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