ON Semiconductor - FCPF165N65S3R0L

KEY Part #: K6397481

FCPF165N65S3R0L Preços (USD) [27586pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.49397

Número da peça:
FCPF165N65S3R0L
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SUPERFET3 650V TO220F PKG.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF165N65S3R0L Atributos do produto

Número da peça : FCPF165N65S3R0L
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SUPERFET3 650V TO220F PKG
Series : SuperFET® III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 35W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F-3
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack