TK58E06N1,S1X Preços (USD) [69791pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.49453
- 100 pcs$0.43269
- 500 pcs$0.31741
- 1,000 pcs$0.25059
- Número da peça:
- TK58E06N1,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 60V 58A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK58E06N1,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK58E06N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 60V 58A TO-220
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3400pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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