FDMC6675BZ Preços (USD) [209407pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17751
- 3,000 pcs$0.17663
- Número da peça:
- FDMC6675BZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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FDMC6675BZ Atributos do produto
Número da peça :
FDMC6675BZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Ta), 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.4 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2865pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-MLP (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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