[1590pcs Estoque]
- Número da peça:
- DMN62D0LFB-7B
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7B electronic components. DMN62D0LFB-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN62D0LFB-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN62D0LFB-7B Atributos do produto
Número da peça :
DMN62D0LFB-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Series :
-
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.45nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
32pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
470mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-X1DFN1006
Pacote / caso :
3-UFDFN
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