STD2NK90Z-1 Preços (USD) [119955pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30989
- 3,000 pcs$0.30834
- Número da peça:
- STD2NK90Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STD2NK90Z-1 electronic components. STD2NK90Z-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD2NK90Z-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD2NK90Z-1 Atributos do produto
Número da peça :
STD2NK90Z-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
485pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
70W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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