Infineon Technologies - IPI100N10S305AKSA1

KEY Part #: K6417765

IPI100N10S305AKSA1 Preços (USD) [40806pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.95821
  • 500 pcs$0.87911

Número da peça:
IPI100N10S305AKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI100N10S305AKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPI100N10S305AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11570pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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