Diodes Incorporated - DMP1555UFA-7B

KEY Part #: K6406429

DMP1555UFA-7B Preços (USD) [1322pcs Estoque]

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Número da peça:
DMP1555UFA-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1555UFA-7B Atributos do produto

Número da peça : DMP1555UFA-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.84nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 55.4pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : X2-DFN0806-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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