Vishay Siliconix - IRFU014PBF

KEY Part #: K6399378

IRFU014PBF Preços (USD) [64496pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.22188

Número da peça:
IRFU014PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFU014PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFU014PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251AA
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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