Diodes Incorporated - ZXM62P02E6TA

KEY Part #: K6393813

ZXM62P02E6TA Preços (USD) [274216pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.11986

Número da peça:
ZXM62P02E6TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXM62P02E6TA Atributos do produto

Número da peça : ZXM62P02E6TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 320pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-6
Pacote / caso : SOT-23-6

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