ON Semiconductor - FDG327NZ

KEY Part #: K6418325

FDG327NZ Preços (USD) [369620pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10057
  • 3,000 pcs$0.10007

Número da peça:
FDG327NZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG327NZ Atributos do produto

Número da peça : FDG327NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 412pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 420mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-88 (SC-70-6)
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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