TK40E10K3,S1X(S Preços (USD) [60727pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71180
- 50 pcs$0.70826
- Número da peça:
- TK40E10K3,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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TK40E10K3,S1X(S Atributos do produto
Número da peça :
TK40E10K3,S1X(S
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
Series :
U-MOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
84nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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