IRFU4510PBF Preços (USD) [124092pcs Estoque]
- 1 pcs$0.63051
- 75 pcs$0.62737
- Número da peça:
- IRFU4510PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 100V 56A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFU4510PBF electronic components. IRFU4510PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU4510PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU4510PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFU4510PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.9 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3031pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
143W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
IPAK (TO-251)
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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