IPN80R900P7ATMA1 Preços (USD) [158903pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23530
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- Número da peça:
- IPN80R900P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPN80R900P7ATMA1 electronic components. IPN80R900P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN80R900P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN80R900P7ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPN80R900P7ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223
Pacote / caso :
TO-261-3
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