Diodes Incorporated - DMP56D0UFB-7B

KEY Part #: K6416427

DMP56D0UFB-7B Preços (USD) [832040pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.03979

Número da peça:
DMP56D0UFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP56D0UFB-7B Atributos do produto

Número da peça : DMP56D0UFB-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.58nC @ 4V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 50.54pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 425mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacote / caso : 3-UFDFN

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