CSD16415Q5T Preços (USD) [50661pcs Estoque]
- 1 pcs$0.77181
- 500 pcs$0.75977
- Número da peça:
- CSD16415Q5T
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD16415Q5T electronic components. CSD16415Q5T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD16415Q5T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD16415Q5T Atributos do produto
Número da peça :
CSD16415Q5T
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
+16V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 12.5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSON-CLIP (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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