AUIRL7766M2TR Preços (USD) [74240pcs Estoque]
- 1 pcs$0.52668
- 4,800 pcs$0.48309
- Número da peça:
- AUIRL7766M2TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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AUIRL7766M2TR Atributos do produto
Número da peça :
AUIRL7766M2TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
66nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5305pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ M4
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric M4
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