Diodes Incorporated - DMT3008LFDF-13

KEY Part #: K6396032

DMT3008LFDF-13 Preços (USD) [286875pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.11311

Número da peça:
DMT3008LFDF-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 12A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3008LFDF-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT3008LFDF-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 30V 12A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN2020-6 (Type F)
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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