Vishay Siliconix - IRFBF20PBF

KEY Part #: K6398788

IRFBF20PBF Preços (USD) [44961pcs Estoque]

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Número da peça:
IRFBF20PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBF20PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFBF20PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 54W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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