Texas Instruments - CSD19531Q5A

KEY Part #: K6415719

CSD19531Q5A Preços (USD) [122851pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.30107
  • 2,500 pcs$0.29734

Número da peça:
CSD19531Q5A
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19531Q5A Atributos do produto

Número da peça : CSD19531Q5A
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3870pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-VSONP (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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