FDD86113LZ Preços (USD) [159974pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23121
- 2,500 pcs$0.22536
- Número da peça:
- FDD86113LZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD86113LZ electronic components. FDD86113LZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86113LZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD86113LZ Atributos do produto
Número da peça :
FDD86113LZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
285pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-PAK (TO-252)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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