IXFT12N100 Preços (USD) [6642pcs Estoque]
- 1 pcs$7.17075
- 30 pcs$7.13508
- Número da peça:
- IXFT12N100
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFT12N100 electronic components. IXFT12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT12N100 Atributos do produto
Número da peça :
IXFT12N100
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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