[468pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXCY01N90E
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXCY01N90E electronic components. IXCY01N90E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXCY01N90E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXCY01N90E Atributos do produto
Número da peça :
IXCY01N90E
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
250mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
133pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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