Infineon Technologies - IPA80R450P7XKSA1

KEY Part #: K6398814

IPA80R450P7XKSA1 Preços (USD) [39294pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.49228

Número da peça:
IPA80R450P7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R450P7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPA80R450P7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 220µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 500V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 29W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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