BSP299H6327XUSA1 Preços (USD) [140209pcs Estoque]
- 1 pcs$0.26380
- 1,000 pcs$0.20158
- Número da peça:
- BSP299H6327XUSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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BSP299H6327XUSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSP299H6327XUSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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