Diodes Incorporated - DMT10H015LCG-7

KEY Part #: K6395997

DMT10H015LCG-7 Preços (USD) [199065pcs Estoque]

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  • 2,000 pcs$0.16445

Número da peça:
DMT10H015LCG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H015LCG-7 Atributos do produto

Número da peça : DMT10H015LCG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : V-DFN3333-8
Pacote / caso : 8-VDFN Exposed Pad

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