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EPC - EPC2025

KEY Part #: K6402385

[2722pcs Estoque]

    Número da peça:
    EPC2025
    Fabricante:
    EPC
    Descrição detalhada:
    GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in EPC EPC2025 electronic components. EPC2025 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2025, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2025 Atributos do produto

    Número da peça : EPC2025
    Fabricante : EPC
    Descrição : GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
    Series : eGaN®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 3A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : +6V, -4V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 194pF @ 240V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
    Pacote / caso : Die
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