Infineon Technologies - IPW60R099C7XKSA1

KEY Part #: K6416304

IPW60R099C7XKSA1 Preços (USD) [13284pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.76933
  • 1,000 pcs$1.49221

Número da peça:
IPW60R099C7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R099C7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPW60R099C7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Series : CoolMOS™ C7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 490µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1819pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3
Pacote / caso : TO-247-3