FCP110N65F Preços (USD) [17545pcs Estoque]
- 1 pcs$2.34893
- 800 pcs$1.67973
- Número da peça:
- FCP110N65F
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP110N65F electronic components. FCP110N65F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP110N65F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP110N65F Atributos do produto
Número da peça :
FCP110N65F
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Series :
FRFET®, SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 3.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4895pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
357W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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