PSMN018-100PSFQ Preços (USD) [170600pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21681
- 5,000 pcs$0.20252
- Número da peça:
- PSMN018-100PSFQ
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN018-100PSFQ Atributos do produto
Número da peça :
PSMN018-100PSFQ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
53A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1482pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
111W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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