Renesas Electronics America - UPA2816T1S-E2-AT

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UPA2816T1S-E2-AT Preços (USD) [213558pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18190
  • 5,000 pcs$0.18099

Número da peça:
UPA2816T1S-E2-AT
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2816T1S-E2-AT Atributos do produto

Número da peça : UPA2816T1S-E2-AT
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : +20V, -25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HWSON (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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