Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K513NU,LF

KEY Part #: K6421478

SSM6K513NU,LF Preços (USD) [603363pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06777
  • 3,000 pcs$0.06743

Número da peça:
SSM6K513NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 30V 15A UDFNB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K513NU,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6K513NU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
Series : U-MOSIX-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-UDFNB (2x2)
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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