SIHG33N65EF-GE3 Preços (USD) [11793pcs Estoque]
- 1 pcs$3.37135
- 10 pcs$3.03334
- 100 pcs$2.49405
- 500 pcs$2.08962
- 1,000 pcs$1.82000
- Número da peça:
- SIHG33N65EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N65EF-GE3 electronic components. SIHG33N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHG33N65EF-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHG33N65EF-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
171nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4026pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
313W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AC
Pacote / caso :
TO-247-3
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