ON Semiconductor - FDMS8350LET40

KEY Part #: K6393790

FDMS8350LET40 Preços (USD) [51588pcs Estoque]

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Número da peça:
FDMS8350LET40
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS8350LET40 Atributos do produto

Número da peça : FDMS8350LET40
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 49A (Ta), 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 219nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16590pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Power56
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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