Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N80CW RPG

KEY Part #: K6394288

TSM1N80CW RPG Preços (USD) [418552pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08837

Número da peça:
TSM1N80CW RPG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM1N80CW RPG Atributos do produto

Número da peça : TSM1N80CW RPG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.6 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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