Infineon Technologies - IRF7324D1TRPBF

KEY Part #: K6400922

IRF7324D1TRPBF Preços (USD) [3229pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.14698

Número da peça:
IRF7324D1TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7324D1TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7324D1TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
Series : FETKY™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 15V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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