IRF7324D1TRPBF Preços (USD) [3229pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38883
- 10 pcs$0.32154
- 100 pcs$0.24802
- 500 pcs$0.18373
- 1,000 pcs$0.14698
- Número da peça:
- IRF7324D1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRF7324D1TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7324D1TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
Series :
FETKY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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